酸腐蚀液对多晶硅表面织构的影响

被引：5

作者：

邵俊刚

廖华

黄小龙

陈义

李雷

李承晴

机构：

[1] 云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室云南省农村能源工程重点实验室

来源：

太阳能学报 | 2010年 / 31卷 / 12期

关键词：

酸腐蚀; 多晶硅; 表面形貌; 反射率;

D O I：

10.19912/j.0254-0096.2010.12.008

中图分类号：

TM914.4 [太阳能电池];

学科分类号：

080502 ;

摘要：

通过在富HF的HF-HNO3溶液体系中加入新的添加剂NH3·H2O,对多晶硅片进行了腐蚀试验研究。在溶液配比为HF:HNO3:NH3·H2O:H2O=12:1:1:4（体积比）,腐蚀时间为10min时得到的效果最好,多晶硅的织构表面沟槽的密度更高、分布更均匀;在波长300～1000nm的范围内平均反射率为5.13%。能够获得低反射率的多晶硅织构表面的主要原因为:加入的NH3·H2O以及系统中反应生成的NH4NO3分解时产生的N2O气体和NO2-起到关键作用。

引用

页码：1563 / 1567

页数：5

共 9 条

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