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用于激光冷却的半导体激光器大频差边模注入锁定的理论及实验研究
被引:3
作者
:
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机构:
王晓辉
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机构:
陈徐宗
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机构:
侯继东
杨东海
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机构:
北京大学电子学系!北京
杨东海
王义遒
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机构:
北京大学电子学系!北京
王义遒
机构
:
[1]
北京大学电子学系!北京
来源
:
物理学报
|
2000年
/ 01期
关键词
:
注入锁定;
激光器;
光激射器;
电子器件;
大频差;
实验研究;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN248.4 [半导体激光器];
学科分类号
:
0803 ;
080401 ;
080901 ;
摘要
:
利用注入锁定技术实现了与自由运转频率相差1300 GHz 的大功率半导体激光器的边模注入锁定.实验上利用饱和吸收谱和光学外差拍方法详细研究了锁定后主从激光器之间的相干转移特性,并测量了注入光功率与锁频范围的关系和注入锁定模式建立过程,与利用带注入项的多模速率方程得到的边模注入锁定的范围相吻合.理论上计算了实现边模注入锁定所满足的注入光阈值条件,并作了实验验证
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页码:85 / 93
页数:9
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