表面光电压法直读少子扩散长度

表面光电压法可以非破坏性检测抛光片、外延片的扩散长度(从而可以推算出少子寿命),能测量扩散长度在晶片表面各点的分布,而且可以对太阳电池基体扩散长度进行随工艺检测及成品电池检测。测试结果与表面复合速度无关,精度可达10％±1μm。 大量测试结果表明,在0.93μm—1.01μm的波长范围内,利用两个波长下的测试,可直读扩散长度。给出了直读法与通常求截距法的结果对比。