ITO和ZnO基底对电化学沉积氧化亚铜薄膜的形貌、结构的影响及作用机制

被引：7

作者：

王春祥

张青

薛敏钊

盛巧蓉

刘燕刚

机构：

[1] 上海交通大学化学化工学院

来源：

感光科学与光化学 | 2007年 / 01期

关键词：

氧化亚铜; 电沉积; 薄膜; 氧化锌;

D O I：

暂无

中图分类号：

O614.121 [铜Cu];

学科分类号：

070301 ; 081704 ;

摘要：

采用电化学恒电位沉积方法在ITO导电玻璃上和在ZnO薄膜上沉积氧化亚铜(Cu2O),并通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对晶体的微观结构和表面形貌进行了分析.在ZnO基底上沉积得到了纳米级的Cu2O粒子并且具有明显择优取向,而在ITO导电玻璃上仅得到粒径为2—5μm的Cu2O粒子,没有明显的择优取向.对薄膜的生长机理进行了讨论.

引用

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