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对ZnO压敏电阻隧道效应的探讨
被引:2
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
许业文
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
朱基千
徐政
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
同济大学材料科学与工程学院
徐政
机构
:
[1]
同济大学材料科学与工程学院
来源
:
建筑材料学报
|
2005年
/ 02期
关键词
:
ZnO压敏电阻;
隧道效应;
势垒交错;
共振隧穿;
传递矩阵法;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM54 [电阻器、电位器];
学科分类号
:
摘要
:
根据氧化锌压敏电阻的微观结构,提出了势垒交错导致共振隧穿的模型,并运用传递矩阵法合理地解释了ZnO压敏电阻的隧道效应,所得的隧穿电流符合实际 ZnO压敏电阻在击穿区的温度特性.
引用
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页码:174 / 178
页数:5
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