一种考虑IGBT基区载流子注入条件的物理模型

被引:8
作者
杜明星 [1 ]
魏克新 [2 ]
机构
[1] 天津大学电气与自动化工程学院
[2] 天津理工大学天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室
基金
天津市科技支撑计划;
关键词
绝缘栅极双极晶体管; 物理模型; 注入条件; 双极输运方程;
D O I
暂无
中图分类号
TN386.2 [绝缘栅场效应器件];
学科分类号
摘要
提出了一种考虑绝缘栅极双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)基区载流子不同注入条件的物理模型.在小注入和大注入情况下,分别建立描述IGBT基区载流子运动的输运方程(ambipolar transport equation,ATE),并确定边界条件.采用傅里叶级数法求解载流子输运方程,并将计算结果分别与IGBT手册提供的实验数据和Hefner模型计算结果相比较,验证了本文提出物理模型的正确性.
引用
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