确定VCSEL电势及载流子自洽分布算法的研究

被引：4

作者：

赵鼎

林世鸣

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室

[2] 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京

[3] 北京

来源：

半导体学报 | 2003年 / 10期

关键词：

准Fermi能级; pn结模型; VCSEL;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248 [激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

分别使用准Fermi能级和pn结模型决定VCSEL的有源层压降 ,建立了两种自洽确定VCSEL中电势及载流子分布的方法 .针对电极电压变化和氧化层限制孔径变化的两种情况 ,在阈值附近对器件中的结电压分布、载流子浓度分布和注入有源层电流密度分布进行了计算 ;针对两者所得结果的差异进行了简要的分析 ,指出了二者的特点及适用范围 .

引用

页码：1093 / 1098

页数：6