事件相关电位N400神经发生源研究

被引：6

作者：

王继军 ^{[1
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张明岛 ^{[1
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外间宏人 ^{[2
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谢斌 ^{[1
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肖泽萍 ^{[1
]}

机构：

[1] 上海市精神卫生中心

[2] 日本琉球大学医学部精神医学教研室

来源：

上海精神医学 | 2006年 / 01期

关键词：

事件相关电位N400; 神经发生源; 低分辨率电磁断层扫描术;

D O I：

暂无

中图分类号：

R749.3 [精神分裂症];

学科分类号：

100205 ;

摘要：

目的事件相关电位(event-related potentials,ERPs)N400是与语境歧义处理相关的高级认知电位,研究应用于精神分裂症的认知功能障碍。有关N400神经发生源,国内外均少有研究报道。本研究应用“低分辩率电磁断层扫描术(low resolution electromagnetic tomography,LORETA)”技术研究 N400的神经发生源。方法ERPs应用汉词语词对(S1-S2)诱发。S1-S2的关系为:语义关联对、语义非关联对和汉词-人造词对。脑电信号应用17导电极记录。被试为18例正常健康者,男9,女9,平均年龄25．2±4．4岁。应用LORETA软件中内含的“统计学非参数地形图(statistical non-parametric mapping,SnPM)”程序分析被试处理不同类语词时所激活的脑功能区差异。结果与语义关联词对中S2诱发ERPs相比,语义非关联词对中S2诱发出潜伏期在300-500 ms左右的负向偏转成分N400。分别比较S2开始后300-350 ms、350-400 ms、400-450 ms和450-500 ms时间窗内两类刺激语词激活的脑功能区,发现具有显著性差异的脑功能区集中在左半球的颞上回、颞中回、岛回、梭状回、后扣带回和海马旁回等区域。结论事件相关电位N400的神经发生源位于优势半球的颞叶及扣带回-海马结构。

引用

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