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一维负磁导率材料中的缺陷效应
被引：26
作者：
赵乾
赵晓鹏
康雷
张富利
刘亚红
罗春荣
机构：
[1] 西北工业大学电流变技术研究所
[2] 西北工业大学电流变技术研究所 西安
[3] 西安
来源：
关键词：
负磁导率;
缺陷效应;
开口谐振环;
D O I：
暂无
中图分类号：
TB34 [功能材料];
学科分类号：
080501 ;
摘要：
理论和实验已经表明 ,金属开口谐振环 (splitringresonators,简称SRR)可以实现材料的有效磁导率 μeff在某一频率范围内为负 .采用波导法实验研究了不同几何尺寸的六边形SRR在X波段微波作用下的近邻相互作用 .实验发现 ,相同尺寸的六边形SRR周期性排列而成的一维负磁导率材料存在一个谐振频率 ;当缺陷谐振环引入一维负磁导率材料时 ,主谐振频率和缺陷环谐振频率同时发生移动 ;主谐振频率和缺陷环谐振频率的移动量随缺陷与双环谐振频率之差的增加而减小 ,当缺陷环谐振频率与双环谐振频率接近时 ,环间的相互作用增强 ,频率的移动量增大 .
引用
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页码：2206 / 2211
页数：6
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