硅紫外光伏探测器件响应度的研究

被引：2

作者：

陈炳若

李启亮

高繁荣

王飚

李振

机构：

[1] 武汉大学物理学系

来源：

关键词：

紫外响应度，使用模式，网格结构，串联电阻;

D O I：

10.14188/j.1671-8836.1997.05.017

中图分类号：

TN364 [半导体光电管];

学科分类号：

0803 ;

摘要：

分析了硅紫外光伏探测器件的响应度与器件使用模式之间的关系．研究了包括网格结构在内的３种版图设计及所对应的响应度．结果表明，网格结构对改善紫外响应度的实际作用只是减小了串联电阻．细致讨论了光伏器件串联电阻的主要来源，给出了串联电阻对紫外响应度发生显著影响时所对应的估算数值．

引用

页码：90 / 95

页数：6

共 7 条

[1] 紫外灵敏的表面型硅光电探测器 [J].

张苑岳 .

[2]

半导体器件物理.[M].(美)施敏(Sze;S.M.)著;黄振岗译;.电子工业出版社.1987,

[3]

光敏感器件及其应用.[M].齐丕智编著.科学出版社.1987,

[4]

半导体光电器件及其应用.[M].潘天明编著.冶金工业出版社.1985,

[5]

半导体器件物理.[M].王家骅著.科学出版社.1983,

[6]

电光学手册.[M].[美]美国无线电公司编;史斯;伍琐译.国防工业出版社.1978,

[7]

高速硅光敏三极管[P]. 何民才.中国专利:CN85105936B,1987-02-18