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准一维电子通道中声电电流的理论计算
被引：3
作者：
高宏雷
李玲
高洁
机构：
[1] 四川大学物理科学与技术学院
[2] 四川大学物理科学与技术学院 成都
[3] 成都
来源：
基金：
科技部重大基础研究前期研究专项基金;
关键词：
表面声波;
准一维电子通道;
量子阱;
声电电流;
D O I：
暂无
中图分类号：
O441 [电磁学];
学科分类号：
0809 ;
摘要：
表面声波在GaAs AlxGa1 -xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时 ,在通道中诱导产生声电电流 .采用WKB近似 ,计算了只有一个电子被量子阱俘获时的声电电流 ;并在此基础上 ,详细讨论了表面声波的频率和功率 ,以及门电压和源漏偏压对声电电流的影响
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页码：3504 / 3509
页数：6
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