共 3 条
[2]
碳化硅宽带隙半导体技术[M]. 科学出版社 , 郝跃等编著, 2000
[3]
物质结构导论[M]. 中国科学技术大学出版社 , 李俊清等编, 1990
α-SiC“非汉字符号”表面结构的第一性原理计算
被引：4
作者：
谢长坤
徐彭寿
徐法强
潘海斌
机构：
[1] 中国科学技术大学结构分析开放实验室
[2] 中国科学技术大学国家同步辐射实验室
[3] 中国科学技术大学国家同步辐射实验室 合肥
[4] 合肥
来源：
关键词：
碳化硅;
FPLAPW方法;
电子结构;
D O I：
暂无
中图分类号：
O472.1 [];
学科分类号：
070205 ;
080501 ;
0809 ;
080903 ;
摘要：
用全势缀加平面波方法 (FPLAPW)计算了α SiC及其非极性 (10 10 )表面的原子与电子结构 .计算出的α SiC晶体结构参量 :晶格常量和体积弹性模量与实验值符合得很好 .用平板超原胞模型来计算α SiC(10 10 )表面的原子与电子结构 ,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性 ,表面阳离子Si,C向体内方向发生不同程度的位移 .表面重构的机理为Si,C原子由原来的sp3杂化方式退化为sp2 杂化 ,与其三配位异种原子近似以平面构型成键 .另外 ,表面弛豫实现表面由半金属性至半导体性的转变
引用
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页码：2804 / 2811
页数：8
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