甲巯咪唑在酞菁钴修饰碳糊电极上的示差脉冲伏安法测定

被引：3

作者：

李惠

裴会莲

刘巍

机构：

[1] 扬州大学化学化工学院

来源：

药物分析杂志 | 2007年 / 11期

关键词：

酞菁钴; 碳糊电极; 甲巯咪唑; 测定;

D O I：

10.16155/j.0254-1793.2007.11.033

中图分类号：

R927 [药物鉴定];

学科分类号：

1007 ;

摘要：

目的:研究甲巯咪唑在酞菁钴（CoPc）修饰碳糊电极上的电化学行为并测定其含量。方法:循环伏安（CV）法和示差脉冲伏安（DPV）法。结果:在 pH=7.0、修饰电极中 CoPc 含量为6.25%（w/w）、富集电位-0.3 V（vs SCE）、富集时间40 s 的条件下,甲巯咪唑的氧化峰电流（ip）与其浓度在2.0×10-6～7.0×10-4mol·L-1范围内呈良好的线性关系,检出限为0.3 μmol·L-1。结论:该方法应用到实际样品含量测定,其结果令人满意。

引用

页码：1756 / 1759

页数：4

共 4 条

[1]

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