未找到相关数据
不断发展中的IGBT技术概述
被引：6
作者：
周文定
亢宝位
机构：
[1] 北京工业大学
来源：
关键词：
半导体元器件;
晶闸管;
芯片/沟槽栅;
绝缘栅双极晶体管;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN386 [场效应器件];
学科分类号：
摘要：
概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。
引用
收藏
页码：23 / 28
页数：6
相关论文