局部阴影遮挡的太阳电池组件输出特性实验研究

被引：68

作者：

张臻 ^{[1
]}

沈辉 ^{[2
]}

李达 ^{[2
]}

机构：

[1] 天合光能有限公司

[2] 中山大学太阳能系统研究所

来源：

太阳能学报 | 2012年 / 33卷 / 01期

关键词：

太阳电池组件; 输出特性; 阴影遮挡; 旁通二极管;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM914.4 [太阳能电池];

学科分类号：

080811 [新能源发电与电能存储];

摘要：

结合太阳电池双二极管与雪崩击穿效应数学模型,设计太阳电池组件遮挡实验,并对组件性能进行实际测试。分别在有、无旁通二极管两种情况下,分析比较单片太阳电池小比例(1%～10%)、大比例(10%～100%)遮挡及多片电池阴影遮挡的太阳电池组件输出的I-V及P-V特性曲线。结果表明,有、无旁通二极管情况下,组件单片电池被遮挡1%～10%,整个组件输出功率下降比例均不超过2%,同一串电池片之间可允许存在小的功率差异或表面辐照强度差异(<5%)。同组件无旁通二极管多个电池遮挡实验显示,电池出现热斑效应时会被反向击穿,实验组件击穿电压约15V,为避免热斑损害,组件中应对少于15/0.6=25片串联电池并联一个旁通二极管。

引用

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共 7 条

[1]

Partial shadowing of photovoltaic arrays with different system configurations: literature review and field test results [J].