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衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响
被引：29
作者：
王忠良
刘桥
机构：
[1] 贵州大学,贵州大学贵州贵阳,贵州贵阳
来源：
关键词：
无机非金属材料;
AlN压电薄膜;
反应磁控溅射;
择优取向;
D O I：
暂无
中图分类号：
TM22 [强性介质和压电介质];
学科分类号：
080806 [电工材料与电介质];
摘要：
采用反应磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了AlN薄膜。XRD分析表明,在5种温度下,AlN均以(100)面取向,衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善,在600℃以上时AlN中Al—N0键断裂,仅出现(100)衍射峰。AFM分析显示,在600℃时平均晶粒尺寸90nm,Z轴最高突起仅为23nm。
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