氢键分子系统的非线性激发和质子的传导特性

被引：3

作者：

庞小峰

机构：

[1] 电子科技大学高能电子学研究所和生物物理/生物电子学重点实验室

来源：

物理学进展 | 2002年 / 02期

关键词：

氢键系统; 质子传递和导电率; 离子和键缺陷; 孤子; 非线性作用;

D O I：

暂无

中图分类号：

O641 [结构化学];

学科分类号：

摘要：

我们首先介绍了氢键系统的特性和质子在此系统中的运动特点及国际上对此问题研究的进展和存在的问题。接着较全面地描述我们提出的新理论的物理学基础、模型的特征和所形成的两类缺陷和质子孤子的特性。这个模型的最大特点是存在两类不同性质的非线性相互作用 ,它们之间的竞争和平衡导致了两类不同的缺陷和相应孤子的出现 ,这两类缺陷的协同和交替运动使质子在氢键系统中从一处传递到另一处。因此 ,此模型能完整地解释质子在氢键系统中的传递 ,在此基础上我们研究了重离子作非简谐振动和系统中存在的杂质及氢离子的迁移所产生的偶极矩等效应对质子孤子的影响以及在外场存在时 ,质子运动的特点 ,求出了质子在电场作用下的迁移率和传导率、大约分别为 (6 5 - 6 .9)× 1 0 - 6(m2 /v .s)和(7.6 - 8.1 )× 1 0 - 3/(Ωm) ,它刚好处在半导体范围内 ,与实验结果基本吻合。并且我们研究了质子传递的量子力学特性和质子孤子存在的临界温度

引用

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