Bi4eG3O12晶体电光系数的测量

被引：3

作者：

谢克诚

机构：

[1] 四川压电与声光技术研究所

来源：

压电与声光 | 1987年 / 05期

关键词：

晶体; BGO; 电光系数; 样品尺寸;

D O I：

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中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文介绍了一种简便的Bi4Ge3O12晶体电光系数的测量方法,扼要地概述了测量的基本原理和实验装置,并对测量结果进行了误差分析.采用这种测量方法,可避免由于Bi4Ge3O12晶体的半波电压较高而引起的一系列麻烦,使整个测量系统具有结构简单、图形直观、操作方便的特点,其测量精度优于1.5%.

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压电与声光, 1986, (01) :23-28