ZnO:Al透明导电膜的制备及其性能的研究

被引:24
作者
葛水兵
程珊华
宁兆元
机构
[1] 苏州大学薄膜材料实验室!江苏苏州
关键词
脉冲激光沉积; ZnO膜; 掺杂比; 氧分压强;
D O I
10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2000.03.019
中图分类号
TB43 [薄膜技术];
学科分类号
0805 ;
摘要
利用脉冲激光法制备了 Zn O:Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :掺杂比从0 .75%增至 1 .5%过程中 ,膜的载流子浓度、透光率 (在波长大于 50 0 nm的范围 )和光隙能相应增大。在氧分压强为 0 Pa(不充氧 )、掺杂比为 1 .5%左右时沉积的膜 ,其电阻率达到最小 ,其值为 7.1× 1 0 -4 Ω cm,且在可见光区其透光率超过了 90 %。
引用
收藏
页码:77 / 79
页数:3
相关论文
共 1 条
[1]  
S. Zafar,et al. V ac. Sci. Technol . 1995