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- [4] 晶体生长基础.[M].姚连增编;.中国科学技术大学出版社.1995,
球形Ni（OH）2包覆钴化合物的积分进料工艺
被引：8
作者：
杜晓华
张泉荣
姜长印
万春荣
严玉顺
机构：
[1] 清华大学核能技术设计研究院!北京
来源：
关键词：
积分进料工艺;
表面改性;
Ni(OH)2;
Co(OH)2;
D O I：
10.16511/j.cnki.qhdxxb.2001.06.020
中图分类号：
TM911.114 [];
学科分类号：
摘要：
为提高镍电极活性材料之间的导电性 ,在电极制作过程中需添加适量的导电剂 ,通过混合式工艺添加的导电剂 ,其利用率和分布均匀性受工艺条件的限制 ,得不到可靠的保证。提出了一种积分进料的工艺方法 ,在球形 Ni(OH) 2的表面包覆上了一层钴的化合物 ;并利用扫描电子显微技术 (SEM)对包覆效果进行了分析和研究 ,对积分进料工艺进行了结晶学方面的分析 ,提出了积分进料工艺的数学模型。结果表明 ,包覆层分布均匀、稳定 ;使用改性后材料制备的镍电极 ,其电阻降低 ,活性材料的利用率提高 ,大电流充放电性能得到了明显的改进
引用
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