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ULSI制备中Cu布线的CMP技术及抛光液的研究
被引:14
作者
:
论文数:
引用数:
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机构:
刘玉岭
王弘英
论文数:
0
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0
h-index:
0
机构:
河北工业大学!天津
王弘英
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
王新
机构
:
[1]
河北工业大学!天津
来源
:
半导体技术
|
2001年
/ 08期
关键词
:
铜;
多层互连结构;
化学机械抛光;
浆料;
D O I
:
10.13290/j.cnki.bdtjs.2001.08.019
中图分类号
:
TN405.2 [];
TN405.9 [];
学科分类号
:
摘要
:
对 ULSI制备中铜布线技术作了系统的介绍。对 CMP相关技术到抛光机理、浆料的种类及成分均作了整体的分析和论述,并对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了分析和讨论。此外,还对新研制的一种新型、高效、无污染的浆料进行了介绍。
引用
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页码:65 / 69
页数:5
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