污湿环境中合成绝缘子憎水性影响因素分析

被引:22
作者
蒋兴良
李名加
司马文霞
孙才新
王进华
机构
[1] 重庆大学电气工程学院高电压与电工新技术教育部重点实验室
关键词
合成绝缘子; 憎水性; pH值; 等值盐密; 灰密;
D O I
10.13336/j.1003-6520.hve.2002.09.003
中图分类号
TM216 [绝缘子和套管];
学科分类号
摘要
实验并分析了污湿环境中影响合成绝缘子憎水性的各种因素。结果表明 :酸性物质对憎水性影响较小 ,碱性物质使憎水性减弱 ;污秽层附着于硅橡胶表面的时间越长则憎水性越强 ;ESDD值越高则憎水性越弱 ;NSDD对憎水性影响较小 ;合成绝缘子不明原因闪络并非污湿闪络
引用
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