紫外敏感硅光伏二极管的正向特性附视频

被引：2

作者：

龚道本

机构：

[1] 中南民族学院

来源：

关键词：

紫外敏感硅光伏二极管,肖特基势垒二极管,C－V特性,I－V特性,势垒电容,整流接触;

D O I：

10.16818/j.issn1001-5868.1998.05.009

中图分类号：

TN311.7 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

通过实验发现高阻衬底浅结的紫外敏感硅光伏二极管的正向偏置Ｃ－Ｖ特性和Ｉ－Ｖ特性与一般ＰＮ结二极管的正向特性有明显地不同。文章在理论分析的基础上提出了该器件的一种新的模型—─两个背靠背的二极管和一个电阻的串联，能很好地解释该器件的正反向特性。

引用

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