纳米WO3-ZnS系H2S气敏元件的研究

被引：19

作者：

黄世震

林伟

陈伟

陈知前

机构：

[1] 福州大学气敏传感器研究所!福建福州

来源：

传感器技术 | 2001年 / 01期

关键词：

纳米WO3; H2S; ZnS;

D O I：

10.13873/j.1000-97872001.01.008

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

以纳米WO3 材料 ,分别掺入SnO2 、ZnS ,制备成H2 S气敏元件。实验表明 ,当WO3 掺入适量ZnS ,元件对H2 S气体具有较高的灵敏度及选择性

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