SnO2气敏半导体材料

被引：13

作者：

何琳

陈祖耀

沈瑜生

机构：

[1] 中国科学技术大学应用化学系

来源：

硅酸盐通报 | 1985年 / 05期

关键词：

SnO2; 气敏半导体; 气敏效应; 气敏元件; 敏感元件; 灵敏度比; 半导体表面;

D O I：

10.16552/j.cnki.issn1001-1625.1985.05.007

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

<正> 引言纯的SnO2是一个禁带宽度较大的n型半导体材料,其禁带宽度为3.7eV。由于它内部存在着点缺陷,这些点缺陷具有施主或受主的作用,而使它具有导电性。 SnO2晶体属于四方晶系,具有金红石结构,其空间群为D4h14[P42/mnm],单位晶胞含有6个原子,2个Sn原子,4个O原子,如图1所示:每个Sn原子都位于正八面体顶角的氧原子的中心;而每个O原子也都被等边三角形顶角的三个锡原子所包围。例如:它以6:3配比,由Baur所测的晶格参数是a=b=4.737A,C=3.185A,c/a之比

引用

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