高活性β-C2S的正电子湮没研究

用正电子湮没技术（PAT）研究了不同热处理温度下合成的高活性β-C2S的正电子湮没寿命谱。分析了高活性β-C2S中对正电子捕获态寿命产生影响的主要因素,并按照正电子捕获理论,从实验所得寿命谱参数对高活性β-C2S的结构缺陷特征进行了讨论。结果表明,寿命谱中的τ2成分主要来自晶粒边界和高活性β-C2S内部本身的结构缺陷。τ2的强度I2随热处理温度的提高而减小,说明温度升高,晶界和结构缺陷均减少。实验表明,正电子湮没技术亦可用于一些超细多晶材料。