绝缘栅双极型晶体管脉冲工作时结温特性及温度分布研究

被引：23

作者：

陈明

胡安

唐勇

汪波

机构：

[1] 海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室

来源：

西安交通大学学报 | 2012年 / 46卷 / 04期

关键词：

绝缘栅双极型晶体管; 短时脉冲; 结温特性; 温度分布; 电热耦合;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

摘要：

建立了电热耦合和损耗热场耦合计算模型,采用该模型,获得了相同外部条件下的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片结温波动特性及温度分布特征,完成了使用红外热成像实时探测短时脉冲工作方式下IGBT芯片表面温度波动及分布特性的预测.探测结果表明,在一定散热条件和占空比不大的情况时,短时脉冲间歇等非周期瞬态工作方式下芯片表面温度快速上升之后,进入一个缓慢的上升周期,实验也表明,在特殊工作场合时可突破器件手册推荐使用的最大电流值.利用建立的热分析模型,还可以实现对不同工作方式下器件结壳温差和结温波动幅度的预测.

引用

页码：70 / 76

页数：7

共 8 条

[1]

Design for reliability of power electronics modules.[J].Hua Lu;Chris Bailey;Chunyan Yin.Microelectronics Reliability.2009, 9

[2]

A fast mechanical test technique for life time estimation of micro-joints.[J].G. Khatibi;W. Wroczewski;B. Weiss;T. Licht.Microelectronics Reliability.2008, 11

[3]

Virtual reliability assessment of integrated power switches based on multi-domain simulation approach.[J].P. Solomalala;J. Saiz;M. Mermet-Guyennet;A. Castellazzi;M. Ciappa;X. Chauffleur;J.P. Fradin.Microelectronics Reliability.2007, 9

[4]

Properties of solders and their fatigue in power modules.[J].G. Lefranc;G. Mitic.Microelectronics Reliability.2002, 9

[5]

绝缘栅双极型晶体管失效机理与寿命预测模型分析 [J].