用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究

被引：4

作者：

张显斌

施卫

李琦

陈二柱

赵卫

机构：

[1] 西安理工大学应用物理系

[2] 中国科学院瞬态光学技术国家重点实验室

来源：

强激光与粒子束 | 2002年 / 06期

关键词：

光电导开关; 半绝缘GaAs; EL2能级; 非本征吸收;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248 [激光器];

学科分类号：

摘要：

报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为1.9mJ的1064nmNd:YAG激光触发开关,在偏置电压分别为3kV和5kV条件下,光电导开关分别工作于线性和非线性模式。用900nm半导体激光器和1530nm掺铒光纤激光器分别进行触发实验,得到了重复频率分别为5kHz和20MHz的电脉冲波形。结果表明,半绝缘GaAs光电导开关可以吸收大于本征吸收限波长红外激光脉冲。

引用

收藏

页码：815 / 818

页数：4

相关论文

共 2 条

[1] 光电物理基础[M]. - 成都电讯工程学院出版社 , 姜节俭编, 1986
[2] Transit properties of high power ultra-fast photoconductive semiconductor switches .2 Shi W,Zhao W. Chinese Journal of Seniconductors . 2000