低轨道航天器的表面充电模拟

被引：15

作者：

杨昉

师立勤

刘四清

龚建村

机构：

[1] 中国科学院空间科学与应用研究中心

来源：

空间科学学报 | 2011年 / 31卷 / 04期

关键词：

低轨道航天器; 表面充电; 数值模拟;

D O I：

暂无

中图分类号：

V476 [航天站与空间探测器];

学科分类号：

082503 ;

摘要：

为研究航天器表面材料在空间环境中的充电现象,利用SPIS(Spacecraft Plasma Interaction System)模拟了航天器在低轨道等离子体环境中的表面充电情况,通过对模拟结果进行分析并与实际观测进行比较,可以看出模拟结果基本能够反映出不同性质材料之间的充电差别,特别是导电材料与非导电材料之间的充电差别.模拟得到的充电电位及充电时间与充电的一般理论计算结果符合较好,且能够清晰反映出航天器运动中产生的冲击流及尾流的结构特征,根据SPIS低轨道航天器表面充电模拟的特点,认为SPIS的模拟结果是合理的.

引用

页码：509 / 513

页数：5

共 7 条

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