IGBT过电压产生机理分析及RC缓冲电路的设计

被引:131
作者
姜栋栋
王烨
卢峰
机构
[1] 华北电力大学控制与计算机工程学院
关键词
RC; 缓冲电路; IGBT; 浪涌电压;
D O I
暂无
中图分类号
TM464 [逆变器];
学科分类号
080508 [光电信息材料与器件];
摘要
由于IGBT经常工作于高频状态,因此对其关断过电压的抑制就显得尤为重要。对IGBT关断过电压的产生机理进行了分析,对常用的3种缓冲电路进行简单介绍,并且重点对RC缓冲电路的工作原理及参数确定进行了理论分析。搭建了用于测试IGBT动态特性的电路模型,并通过Multisim对RC缓冲电路进行了仿真与分析,验证了RC缓冲电路的吸收特性。
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