808nm大功率半导体量子阱激光器锁相列阵

被引：2

作者：

肖建伟，杨国文，徐俊英，徐遵图，张敬明，庄芳婕，李秉臣，毕可奎，郑婉华，陈良惠

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所

来源：

高技术通讯 | 1994年 / 01期

关键词：

量子阱激光器，锁相列阵，大功率半导体激光器;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN248 [激光器];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

在材料研究和器件特性分析的基础上，采用分子束外延方法（ＭＢＥ），成功地研制出低阈值电流密度、高量子效率、折射率缓变分别限制异质结单量子阱结构（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）大功率半导体激光器锁相列阵，最大线性输出功率为１．５Ｗ（室温，连续），激射波长８０８±４ｎｍ，光－电转换效率最高达６２％，器件寿命考核（２５℃，ＣＷ）超过１０００小时无明显退化。

引用

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