CVD金刚石薄膜的成核机制

被引：6

作者：

汪浩

朱鹤孙

沈明荣

宁兆元

机构：

[1] 北京理工大学

[2] 苏州大学

来源：

材料研究学报 | 1998年 / 06期

关键词：

金刚石薄膜; 化学气相沉积; 成核机理;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484 [薄膜物理学];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

已有许多有效的方法用来提高CVD金刚石薄膜的成核密度，但成核机理仍有很多问题本文简要介绍作者在这方面的一些工作

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页码：570 / 574

页数：5

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共 2 条

[1]

Effect of reaction pressure on the nucleation behaviour of diamond synthesized by hot-filament chemical vapour deposition[J] . Dong -Gook Kim,Hwan -Chul Lee,Jai -Young Lee.Journal of Materials Science . 1993 (24)

[2]

Nucleation behaviour of diamond particles on silicon substrates in a hot-filament chemical vapour deposition[J] . Soon-Sup Park,Jai-Young Lee.Journal of Materials Science . 1993 (7)