未找到相关数据
IGBT模块应用中过电压的抑制
被引：4
作者：
孙国印
机构：
[1] 洛阳单晶硅有限责任公司洛阳
来源：
关键词：
模块;
绝缘栅双极晶体管;
过电压/开关损耗;
寄生电感;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN34 [晶闸管（可控硅）];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
寄生杂散电感会使超快速IGBT关断时产生过电压尖峰 ,通常抑制过电压的方法会增加IGBT开关损耗或外围器件的耗散功率。介绍了有效抑制IGBT关断中过电压的新方法
引用
收藏
页码：73 / 74+23
+23
页数：3
相关论文