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晶内型结构的Al2O3/SiCp纳米复相陶瓷
被引:6
作者
:
张巨先
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机构:
北京真空电子技术研究所
张巨先
高陇桥
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机构:
北京真空电子技术研究所
高陇桥
机构
:
[1]
北京真空电子技术研究所
[2]
北京真空电子技术研究所 北京
[3]
北京
来源
:
硅酸盐学报
|
2001年
/ 05期
关键词
:
纳米复相材料;
晶内型结构;
断裂模式;
非平面穿晶断裂;
D O I
:
10.14062/j.issn.0454-5648.2001.05.017
中图分类号
:
TQ174.758 [];
学科分类号
:
080503 ;
摘要
:
利用非均匀成核的方法在纳米SiC粒子表面包覆一层Al2 O3,通过胶态悬浮液将其均匀分散于Al2 O3 基体中 ,制备出晶内型结构为主的Al2 O3/SiCp 纳米复相陶瓷。通过对材料显微结构及断口形貌分析 ,发现Al2 O3/SiCp 纳米复相陶瓷中 ,含纳米SiC粒子的Al2 O3 晶粒内 ,在残余热应力作用下产生了大量的位错。位错的交截、组合导致微裂纹成核 ,从而诱发材料发生非平面穿晶断裂。说明晶内SiC粒子是改变材料断裂模式的主要原因
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页码:471 / 474
页数:4
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[1]
无机材料物理性能.[M].关振铎等编著;.清华大学出版社.1992,
[2]
Al2O3/SiCp纳米复合材料化学制备工艺研究
[J].
张巨先
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北京真空电子技术研究所
张巨先
;
高陇桥
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北京真空电子技术研究所
高陇桥
.
硅酸盐学报,
2001,
(06)
:550
-553
[3]
氧化铝基纳米复合陶瓷显微结构的研究
[J].
王宏志
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硅酸盐学报,
1999,
(01)
:3
-9
[4]
非均匀成核法涂覆改性纳米SiC粉体表面研究
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电子部第十二研究所
张巨先
;
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电子部第十二研究所
候耀永
;
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电子部第十二研究所
高陇桥
;
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李发
.
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1998,
(06)
:81
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张巨先
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张巨先
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电子显微学报,
1998,
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无机材料物理性能.[M].关振铎等编著;.清华大学出版社.1992,
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[J].
张巨先
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北京真空电子技术研究所
张巨先
;
高陇桥
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机构:
北京真空电子技术研究所
高陇桥
.
硅酸盐学报,
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氧化铝基纳米复合陶瓷显微结构的研究
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张巨先
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