槽栅结构SiC材料IGBT的仿真及优化分析

被引：6

作者：

李俊楠

战可涛

机构：

[1] 北京化工大学理学院

来源：

北京化工大学学报(自然科学版) | 2011年 / 38卷 / 06期

关键词：

4H-SiC; 绝缘栅双极型晶体管; 阈值电压; 击穿电压; 开关特性;

D O I：

10.13543/j.cnki.bhxbzr.2011.06.008

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

运用半导体物理理论和功率器件模拟软件(SILVACO-TCAD),研究了新型宽禁带材料SiC槽栅结构IGBT功率半导体器件的电学特性,模拟了不同厚度和掺杂浓度漂移层和缓冲层的IGBT器件的阈值电压、开关特性和导通特性曲线,并分析了漂移层和缓冲层厚度及掺杂浓度对电学特性的影响。结果表明,当SiC-IGBT功率器件漂移层和缓冲层厚度分别为65μm和2.5μm,掺杂浓度分别为1×1015和5×1015 cm-3时,得到击穿电压为3400 V,阈值电压为8 V。

引用

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