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Si(001)表面层及近表面层原子行为的分子动力学模拟研究
被引：27
作者：
郏正明
杨根庆
程兆年
柳襄怀
邹世昌
机构：
[1] 中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室上海,上海,上海,上海,上海
来源：
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O485 [表面物理学];
学科分类号：
070204 [等离子体物理];
摘要：
用分子动力学方法模拟了si(001)表面。提出利用二维偶对相关函数分析方法研究表面层和近表面层原于的行为。硅原子间的相互作用势采用含有两体和三体相互作用的Stilli-anger-Weber势。模拟温度为300K,模拟结果和二维偶对相关函数的分析表明:表面层的大部分原子发生成键,键长为0.24nm;近表面层的其它几层原子仍保持原平面晶格构型。另外,对表面层和近表面层原子的弛豫问题也进行了模拟研究。
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页码：609 / 615
页数：7
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