高速低压低功耗BiCMOS逻辑电路及工艺技术

被引：17

作者：

成立

李彦旭

董素玲

汪洋

机构：

[1] 江苏大学电气信息学院

[2] 徐州建筑职业技术学院

来源：

关键词：

双极互补金属氧化物半导体; 低电压; 低功耗; 全摆幅输出; 超大规模集成电路; 特大规模集成电路;

D O I：

10.14176/j.issn.1001-3474.2002.01.007

中图分类号：

TN405 [制造工艺];

学科分类号：

摘要：

介绍了几种高开关速度、低电源电压等级、低功耗的 Bi CMOS逻辑门电路 ,并分析了它们的工作原理及其工艺技术情况。结果表明 ,这些电路的电源电压可达到 2 .0 V以下 ,而且信号传输延迟较小 ,有的还实现了全摆幅输出 ,因而它们可用于便携式电子设备和其它 VLSI和 ULSI新品等场合

引用

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