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ZnS型薄膜电致发光器件中能谷转移过程的蒙特卡罗模拟
被引：7
作者：
赵辉
王永生
徐征
徐叙瑢
机构：
[1] 北方交通大学光电子技术研究所
来源：
关键词：
蒙特卡罗模拟;
电子;
轻子;
ZnS;
瞬态过程;
电场;
电磁场;
散射机制;
发光层;
平均动能;
转移过程;
声子;
准粒子;
发光中心;
蒙特卡罗方法;
电场作用;
电子能量;
初态;
能量存储;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
计算了ＺｎＳ中电子谷间散射的速率．利用蒙特卡罗方法，研究了ＺｎＳ型薄膜电致发光器件中电子的能谷转移过程．得出了能谷转移的瞬态过程，电场对谷间分布的影响以及不同能谷中电子动能分布的特点．提出了高能谷的能量存储效应．这些结果可作为研究电致发光过程的基本数据．
引用
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页数：6
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