长余辉发光材料Zn2SiO4:Dy3+的制备及发光性能(英文)

被引:4
作者
彭子飞
余军保
徐捷
周亚丽
刘恒
机构
[1] 上海师范大学生命与环境科学学院
关键词
Zn2 SiO4:Dy3+; 制备; 长余辉; 陷阱能级;
D O I
暂无
中图分类号
O614.241 [];
学科分类号
070301 ; 081704 ;
摘要
以Zn2SiO4为基质,用高温固相法(ss),sol-gel法(sg)制备得到Zn2SiO4:Dy3+长余辉发光材料,该发光材料的制备及长余辉发光性能至今尚未见到文献报道.由该发光材料的激发谱发现,其在紫外的235~350nm范围有吸收,其发射光谱表明,在紫光(378nm,393nm)、橙光(595nm)、红光(691nm)部位有发射峰.通过对比掺杂与未掺杂样品发射光谱,说明样品发光是由基质Zn2SiO4产生的,Dy3+的掺杂只是使材料形成了陷阱能级进而发出长余辉,还阐述了Zn2SiO4:Dy3+的可能发光机理.
引用
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