一维PN结二极管模拟程序mPND1 D

被引：5

作者：

余稳

蔡新华

聂建军

黄文华

刘国治

机构：

[1] 常德师范学院科技处!常德

[2] 西北核技术研究所!西安

来源：

关键词：

二极管; 计算机模拟; 有限差分;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP319 [专用应用软件];

学科分类号：

081202 ; 0835 ;

摘要：

在高功率瞬态源激励下 ,半导体器件的行为可由一组由电子连续性方程、空穴连续性方程和泊松方程等组成的耦合、非线性、刚性偏微分方程来描述。绝大部分的器件模拟程序只适合于器件正常工作模拟。从研究器件的烧毁机理出发 ,自行研制了一套计算机模拟程序mPND1D ,并全面介绍了一这程序。

引用

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页数：4

共 5 条

[1] 半导体PN结器件瞬态行为一维模拟 [J].

余稳 ;

聂建军 .

余稳 .

[3] 半导体器件烧毁的物理机理 [J].

余稳 ;

蔡新华 ;

黄文华 ;

刘国治 .

[4] 电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏 [J].

余稳，蔡新华 ;

黄文华，刘国治 .

[5]

半导体器件的计算机模拟方法[M]. 科学出版社 , 何野, 1989