导致光聚物全息存储布喇格偏移因素的研究

被引：10

作者：

黄明举

姚华文

陈仲裕

侯立松

干福熹

不详

机构：

[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所

[2] 中国科学院上海光学精密机械研究所上海-信箱

[3] 河南大学物理系

[4] 河南开封

[5] 上海-信箱

[6] 上海-

来源：

光子学报 | 2002年 / 07期

关键词：

高密度全息存储; 光聚物; 布喇格偏移;

D O I：

暂无

中图分类号：

O438.1 [全息光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

研究了光聚物高密度全息存储材料在全息记录过程中曝光量、曝光时间、厚度收缩比例、折射率调制度及记录角度等因素对布喇格偏移的影响规律 ,结果表明 :曝光量一定时 ,布喇格偏移与曝光时间的关系不大 ,当曝光量不一定时布喇格偏移随曝光时间增加缓慢增加最后达到饱和 ;而布喇格偏移随厚度收缩比例和折射率调制度的增加以接近正比例的关系增加 ;记录光栅的倾斜度越大则布喇格偏移也越大 .这些结论对光聚物高密度全息存储研究具有重要的意义

引用

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