多孔硅蓝光发射与发光机制

被引:7
作者
林军,张丽珠,陈志坚,宋海智,姚德成,段家忯,傅济时,张伯蕊,秦国刚
机构
[1] 北京大学物理系,中国科学技术大学研究生院
关键词
多孔硅; 蓝光发射; 光致发光; 发光中心; 时间分辨光谱; 发光机制;
D O I
暂无
中图分类号
TN204 [材料和工作物质];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 080502 ;
摘要
在制备出光致发光能量为2.7eV的发射蓝光多孔硅的基础上对它进行了较系统的研究:测量了它的光致发光时间分辨光谱,用傅里叶交换红外光谱分析了其表面吸附原子的局域振动模,研究了Y射线辐照对其发光的影响,并与发红、黄光的多孔硅作了对比,通过空气中长期存放、激光和紫外线照射的方法,研究了光致发光峰能量为2.7eV的多孔硅发光稳定性.我们及其它文献中报道的多孔硅蓝光发射的实验结果与量子限制模型矛盾,但能用量子限制/发光中心模型解释.我们认为多孔硅的2.7eV发光是多孔硅中包裹纳米硅的SiO_x层中某种特征发光中心引起的.
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