新一代3.3kV IGBT模块的开发

被引：3

作者：

S Iura

A Narazaki

M Inoue

S Fujita

机构：

[1] 三菱电机功率器件福岡制作所

来源：

电力电子技术 | 2008年 / 09期

关键词：

模块/平面型MOS栅轻穿透HVIGBT; 软恢复高压二极管;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

大功率应用需要具有低功耗、高可靠性的高压IGBT(HVIGBT)模块。然而这些特性通常是相互制约的,为达到均衡的性能,三菱电机开发出一种精细平面型MOS栅轻穿通HVIGBT(FP-LPT-HVIGBT)与具有高短路承受能力的软反向恢复高压二极管(SR-HVDi)组合的新型结构。采用这种新硅片组合的新一代3.3kV HVIGBT模块能在降低功率损耗的同时提高额定电流。

引用

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