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偏硅酸镉的自激活发光
被引：3
作者：
雷炳富
刘应亮
华瑞年
石春山
机构：
[1] 广州暨南大学化学系
[2] 中国科学院长春应用化学研究所
来源：
基金：
广东省自然科学基金;
关键词：
偏硅酸镉;
自激活发光;
热释光;
D O I：
10.13563/j.cnki.jmolsci.2004.01.012
中图分类号：
O614 [金属元素及其化合物];
学科分类号：
摘要：
利用高温固相法合成了一种具有自激活发光行为的CdSiO3基质.对样品进行了X射线衍射分析和光谱分析.光谱分析结果表明,在偏硅酸镉的发射光谱中存在三个自激活发光峰,它们分别位于380,467和560nm处,另外,通过热释光谱技术讨论了偏硅酸镉中的缺陷及相关机理.在热释光谱中有两个明显的热释峰,分别位于448和563K,它们的陷阱深度分别为0 58和0 61eV,表明了在偏硅酸镉中存在着不同的陷阱,这些陷阱的存在导致了偏硅酸镉的自激活发光.
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