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IGBT的过流保护
被引：8
作者：
王正仕，吴益良，向群，陈辉明
机构：
[1] 浙江大学
来源：
关键词：
电力半导体器件，过电流保护／IGBT;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN772 [分频器];
学科分类号：
080902 ;
摘要：
根据器件及其应用情况．介绍了ＩＧＢＴ过流保护的特点；提出了综合保护方法；进行了过流保护试验，并给出了实验波形．结果表明，ＩＧＢＴ在其额定容量的３倍过流情况下得到了可靠保护．文中还叙述了过流保护的抗干扰措施。
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页数：5
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