CMOS图像传感器的硬复位电路研究

被引：12

作者：

晋孝峰

岳素格

刘丽艳

陈淼

赵岳

王春芳

机构：

[1] 北京微电子技术研究所

来源：

电子学报 | 2014年 / 42卷 / 01期

关键词：

CMOS图像传感器; 硬复位电路; 动态范围; 抗饱和; 图像滞后; 非线性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TP212 [发送器（变换器）、传感器];

学科分类号：

080202 ;

摘要：

像素复位电路是CMOS图像传感器的重要组成部分,其特性直接影响着图像的质量.本文对CMOS APS图像传感器的动态范围、抗饱和能力、图像滞后以及非线性等性能进行了分析,并讨论了通过复位电路改善CMOS图像传感器性能的方法.在本文中,设计了两种带有抗饱和电路的硬复位电路,一种是采用传统的交叉耦合结构实现电压转换,另一种是基于改进的锁存器结构并增加阈值补偿管来实现,两种方案各具特点,分别适用不同的应用要求.仿真结果表明,两种电路方案均能够使动态范围提高2～3dB,增强像素抗饱和能力,同时消除了图像滞后与弱光下的非线性.

引用

页码：182 / 186

页数：5

共 4 条

[1] 基于CMOS集成有源传感器的新型高能物理粒子轨迹追踪器 [J].