再结晶碳化硅的生成机理及其制品制造工艺的探讨

被引：2

作者：

孙阳

机构：

来源：

关键词：

碳化硅; 再结晶; 晶粒; 颗粒; 气孔率; SIC; 石膏模; 烧成温度; 坯体; 制造工艺; 制品; 生成机理;

D O I：

10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.1987.05.001

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

<正> 引言再结晶碳化硅是一种高性能现代工程陶瓷材料。由于其突出的物理化学性能,在国际上已引起许多先进国家的重视,并在陶瓷、电子、航天、核能、冶金工程等方面得到越来越广泛的应用,国内一些单位也正在

引用

页码：1 / 5

页数：5