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CCD成像器件的不均匀性测试
被引：6
作者：
吴裕斌
曹丹华
机构：
[1] 华中理工大学光电子工程系
来源：
关键词：
电荷耦合器件;
光电特性;
不均匀性;
测试;
D O I：
10.13245/j.hust.1998.08.021
中图分类号：
TN386 [场效应器件];
学科分类号：
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要：
从理论上分析了CCD暗电流和响应率不均匀性产生的原因，指出了在一定条件下可通过定标的方法减小CCD不均匀性对测量结果的影响．给出了测量CCD暗电流的方法及利用光点注入法测量CCD响应率不均匀性的方法，并通过实验系统验证了这种方法是可行的．
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页数：3
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