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碳含量对碳氮化硅薄膜化学结构和力学性能的影响
被引：3
作者：
朴勇
徐军
高鹏
丁万昱
陆文琪
马腾才
机构：
[1] 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室
来源：
关键词：
SiCN;
微波ECR等离子体;
化学结构;
力学性能;
D O I：
10.13922/j.cnki.cjovst.2006.06.020
中图分类号：
O484.4 [薄膜的性质];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
利用微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅(SiCN)薄膜。研究结果表明,碳含量对薄膜化学结构、力学性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)表征显示,随着碳靶溅射偏压由-450 V提高到-650 V,薄膜中碳含量由19.0%增加到27.1%,sp3C-N键含量增多,薄膜生长速率由3.83 nm/min提高到5.83 nm/min,硬度在-600 V时达到最大值25.36 GPa。上述结果表明,提高碳靶溅射偏压,可以提高薄膜含碳量,得到性能较好的SiCN薄膜。
引用
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页码：526 / 529
页数：4
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