低温BiCMOS电路的优化设计

被引：1

作者：

吴金，魏同立

机构：

[1] 南京东南大学微电于中心

来源：

关键词：

BiCMOS电路，延迟，优化设计，低温;

D O I：

10.16711/j.1001-7100.1995.04.004

中图分类号：

TN433 [BICMOS（双极-MOS混合）集成电路];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

该文根据新建立的ＢｉＣＭＯＳ门电路延迟模型．从器件性能和电路工作状态两个层次上分析了低温ＢｉＣＭＯＳ门电路的优化设计，得到了物理意义清晰、可靠的结论，并且所提出的理论和方法，对高速ＢｉＣＭＯＳ低温电路的设计具有实际指导意义．

引用

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